飛行時間二次離子質譜儀

Hiden TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物，藥物，超導體，半導體，合金，光學和功能涂層以及電介質，檢測限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質譜和飛行時間質譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續(xù)進行，是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS。

飛行時間二次離子質譜TOF-SIMS使用飛行時間質譜，質量數(shù)范圍寬，質量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。

TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜儀綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點，可以分析所有的導體、半導體、絕緣材料；對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產品表面成分及分布，表面添加組分、雜質組分、表面多層結構/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物、顆粒物、腐蝕物等）、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力。

一臺SIMS同時提供四極桿質譜和飛行時間質譜：

靜態(tài)SIMS  Static SIMS

動態(tài)SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低于ppm

SNMS 離子源，二次中性粒子譜

二次離子質譜成像軟件，靜態(tài)二次離子質譜圖庫，二次離子質譜后處理軟件

技術參數(shù)：
質量數(shù)范圍：300，510或1000amu
分辨率：5%的谷，兩個相連的等高峰。
檢測器：離子計數(shù)檢測器，正、負離子檢測
檢測限：1:10E7
質量過濾器：三級過濾四極桿（9mm桿）
主離子槍： A，氧離子或其它氣體，能量到5KeV
          B，Ga離子槍，能量25KeV（選配）
空間分辨率：A：100～150um
           B: 50nm
取樣深度：2個單分子層（靜態(tài)）
         不受限制（動態(tài)）


主要特點：
1、高靈敏度脈沖離子計數(shù)檢測器，7個數(shù)量級的動態(tài)范圍
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下
3、光柵控制，增強深度分析能力
4、所有能量范圍內，離子行程的最小擾動，及恒定離子傳輸
5、差式泵3級過濾四極桿，質量數(shù)范圍至1000amu
6、靈敏度高 / 穩(wěn)定的脈沖離子計數(shù)檢測器
7、Penning規(guī)和互鎖裝置可提供過壓保護
8、通過RS232、RS485或Ethernet LAN，軟件 MASsoft控制